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MGV05033R3M-10

MGV05033R3M-10 - FIXED IND 3.3UH 5A 54.7 MOHM SMD
已过时的产品。

声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商: Laird-Signal Integrity Products
制造商产品编号:MGV05033R3M-10
仓库库存编号:240-2880-1-ND
描述:FIXED IND 3.3UH 5A 54.7 MOHM SMD
ROHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
详细描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 5A 54.7 mOhm Max Nonstandard
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MGV05033R3M-10产品属性
数据列表 MGV0503 Series Datasheet
MGV05033R3M-10 Drawing
类别 电感器,线圈,扼流圈
固定值电感器
制造商 Laird-Signal Integrity Products
系列 MGV
包装 剪切带(CT)?
零件状态 过期
类型 绕线
材料 - 磁芯 -
电感 3.3μH
容差 ±20%
额定电流 5A
电流 - 饱和值 8.5A
屏蔽 屏蔽
DC 电阻(DCR) 54.7 毫欧最大
不同频率时的 Q 值 -
等级 -
工作温度 -40°C ~ 125°C
频率 - 测试 100kHz
安装类型 表面贴装
封装/外壳 非标准
供应商器件封装 -
大小/尺寸 0.217" 长 x 0.201" 宽(5.50mm x 5.10mm)
高度 - 安装(最大值) 0.130"(3.30mm)
标准包装 1
其它名称 240-2880-1
元器件小知识

电源变压器内部关键耗损要提升电源变压器的高效率,就务必辨别和粗略地估计各种各样耗损。电源变压器内部的耗损大概可分成四个方面:开关损耗、通断耗损、额外耗损和电阻损耗。这种耗损一般会在不利于电子器件中一起出现,下边将各自探讨。

与输出功率电源开关相关的耗损

输出功率电源开关是典型性的电源变压器内部最关键的2个耗损源之首。耗损大部分可分成两一部分:通断耗损和开关损耗。通断耗损是当电力电子器件已被启用,且驱动器和电源开关波型早已平稳之后,输出功率电源开关处在通断情况时的耗损;开关损耗是出现在输出功率电源开关被驱动器,进到1个新的工作态度,驱动器和电源开关波型处在衔接全过程时的耗损。

通断耗损可由电源开关两端电压和电流量波型乘积测出。这种波型都类似线形,通断期内的输出功率耗损。

操纵这一耗损的典型性方式是使输出功率电源开关通断期内的电流最少。要超过这一目地,设计师务必使电源开关工作中在饱和。这种标准由式(2a)和式(2b)得出,根据基极或栅极过电流量驱动器,保证由外界电子器件而并不是输出功率电源开关自身对集电极或漏极电流量开展操纵。

电源总开关变换期内的开关损耗就更繁杂,具有自身的要素,也是有关电子器件的危害。与耗损相关的波型只有根据工作电压摄像头接进漏源极(集射极)web端数字示波器观查获得,交流电压摄像头可精确测量漏极或集电极电流量。精确测量每个电源开关一瞬间的耗损时,务必应用带屏蔽掉的短导线摄像头,由于一切有长短的非屏蔽掉的输电线都将会导入别的开关电源传出的噪音,进而不可以精确显示信息真正的波型。如果获得了好的波型,就能用简易的三边形和矩形框按段求饶的方式,粗略地计算这两根曲线图所包围着的总面积。

这一结果仅仅输出功率电源开关启用期内的耗损值,加上关闭和通断耗损能够获得电源开关期内的总耗损值。MGV05033R3M-10,MGV05033R3M-10固定值电感器,MGV05033R3M-10-laird

与输出镇流器相关的耗损

在典型性的非同歩镇流器电源变压器内部的总耗损中,输出镇流器的耗损占有了所有耗损的40-65%。因此了解这每节十分关键。

镇流器耗损还可以分为3个一部分:启用耗损、通断耗损、关闭耗损。

镇流器的通断耗损就是说在镇流器通断而且电流电压波型平稳时的耗损。这一耗损的抑止是根据挑选穿过必须电流量时最少顺向压力降的整流管而保持的。PN二级管具备更平整的顺向V-I特点,但电流却较为高(0.71.1V);肖特基二极管转折点工作电压较低(O.30.6V),但工作电压一电流量特点不太陡,这代表随之电流量的扩大,它的顺向工作电压的提升要比PN二级管迅速。将波型中的衔接全过程按段转换成矩形框和三角形面积,运用式(3)能够测算出这一耗损。

剖析输出镇流器的开关损耗则要繁杂得多。镇流器本身具有的特点在部分电源电路里会引起许多难题。

启用期内,衔接全过程是由整流管的顺向修复特点决策的。顺向修复时间tfrr是二级管两边再加顺向工作电压到刚开始穿过顺向电流量时常用的时间。针对PN型快恢复二极管来讲,这一时间515ns。肖特基二极管因为本身具有的更高的结电容,因而有时候会主要表现出更长的顺向修复时间特点。虽然这一耗损并不是挺大,但它能在开关电源内部造成别的的难题。顺向修复期内,电感器和变电器没有挺大的负荷特性阻抗,而输出功率电源开关或镇流器还是处于关闭情况,这促使存储的动能造成震荡,直到镇流器最后刚开始穿过顺向电流量并钳位输出功率数据信号。MGV05033R3M-10,MGV05033R3M-10固定值电感器,MGV05033R3M-10-laird

关闭一瞬间,反向恢复特点起关键功效。当反方向工作电压加进二级管两边时,PN二级管的反向恢复特点由结内的载流子决策,这种迁移率受到限制的载流子必须从原先进到结内的反方向出来,进而组成了穿过二级管的反方向电流量。与此相关的耗损将会会挺大,由于在结区正电荷被耗光前,反方向工作电压会快速升高得很高,反方向电流量根据变电器反射面到一回侧输出功率电源开关,提升了功率管的耗损。

相近的反向恢复特点也会出现在高工作电压肖特基镇流器中,这一特点并不是由载流子造成的,只是因为这种肖特基二极管具备较高的结电容引发。说白了高工作电压肖特基二极管就是说它的反方向击穿场强超过60V

与滤波电容相关的耗损

I/O滤波电容并非电源变压器的关键耗损源,虽然他们对开关电源的工作中使用寿命危害挺大。假如键入电容器挑选有误得话,会促使开关电源工作中时达不上它具体需有的效率高。

每一电容常有与电容器相串连的小电阻器和电感器。等效串连电阻器(ESR)和等效串连电感器(ESL)是由电容的构造所造成的内寄生元器件,他们都是阻拦外界数据信号加进内部电容器上。因而电容在直流电工作中时特性最好是,但在开关电源的电源开关频率下特性会差许多。

I/O电容器是输出功率电源开关或输出镇流器造成的高频率电流量的惟一来源于(或储存处),因此仔细观察这种电流量波型能够有效地明确穿过这种电容器ESR的电流量。这一电流量难以避免地在电容器内造成发热量。布置滤波电容的关键每日任务就是说保证电容器内部发烫充足低,以确保商品的使用寿命。

不仅电容器实体模型中的电阻器一部分会造成难题,并且假如串联的电容引出线不一样,导线电感器会使电容器内部发烫不平衡,进而减少温度最大的电容器的使用寿命。

额外耗损

额外耗损与全部运作输出功率电源电路需要的作用元器件相关,这种元器件包含与操纵IC有关的电源电路及其反馈电路。对比于开关电源的别的耗损,这种耗损通常较小,可是能够作些剖析看一下是不是有改善的将会。

最先是起动电源电路。起动电源电路从键入工作电压得到交流电流,使操纵IC和光耦电路有充足的动能开启电源。假如这一起动电源电路不可以在开关电源起动后断开电流量,那麽电源电路会有达到3W的不断的耗损,耗损尺寸在于键入工作电压。

下一个关键层面是输出功率电源开关光耦电路。假如输出功率电源开关用双极型输出功率三极管,则基极驱动电流务必超过三极管集电极e谷值电流量除于收获(hFE)。输出功率三极管的典型性收获在5-15中间,这代表假如是10A的谷值电流量,就规定0.662A的基极电流量。基射极中间有0.7V压力降,假如基极电流量并不是从十分贴近0.7V的工作电压获得,则会造成挺大的耗损。

输出功率MOSFET驱动器高效率比双极型输出功率三极管高。MOSFET栅极有2个与漏源极相接的等效电容器,即栅源电容器Ciss和漏源电容器CrssMOSFET栅极驱动器的耗损来源于于启用MOSFET时辅助工作电压对栅极电容器的电池充电,关闭MOSFET时又对地充放电。

对这一耗损,除开挑选CissCrss值较低的MOSFET,进而有将会稍微减少较大栅极驱动器工作电压之外,没有过多的方法。

与带磁元器件相关的耗损

对通常布置技术工程师来讲,这些比较复杂。由于带磁元器件专业术语的多样性,下列上述的耗损关键由磁心生产商以数据图表的方式表达,这十分有利于应用。这种耗损列于此地,使大家能够对耗损的特性作出评价。与变电器和电感器相关的耗损关键有几种:涡流损耗耗损、涡流损耗和电阻损耗。在布置和结构变电器和电感器时能够操纵这种耗损。

涡流损耗耗损与绕阻的线圈匝数和驱动器方法相关。它决策了每一工作中周期时间在B-H曲线图内扫过的总面积。扫过的总面积就是说磁场力进行的功,磁场力使磁心内的磁畴重新排列,扫过的总面积越大,涡流损耗耗损越多大。

,耗损是与输出功率和较大工作中磁通量相对密度的二次方正比。尽管这一耗损比不上输出功率电源开关和镇流器内部的耗损大,可是疏忽大意也会变成1个难题。在100kHz时,Bmax应设置为原材料饱和状态磁通量相对密度Bsat?50%。在500kHz时,Bmax应设置为原材料饱和状态磁通量相对密度Bsat?25%。在1MHz时,Bmax应设置为原材料饱和状态磁通量相对密度Bsat?10%。它是根据铁磁原材料在电源变压器(3C8)中常主要表现出去的特点决策的。

涡流损耗比涡流损耗耗损小得多,但随之输出功率的提升而快速提升。

涡旋是在强磁场中磁心内部大范围之内磁感应的环流。通常设计师没有过多方法来降低这一耗损。

电阻损耗是变电器或电感器内部绕阻的电阻器造成的耗损。有二种方式的电阻损耗:直流电电阻损耗和集肤效应电阻损耗。直流电电阻损耗由绕阻输电线的电阻器与穿过的电流量有效值二次方的乘积所决策。集肤效应是因为在输电线内强沟通交流磁场功效下,输电线管理中心的电流量被“引向”输电线表层进而输电线的电阻器具体提升引发,电流量在更小的横截面中流动性使输电线的合理直径看起来变小。式(8)得出了这2个耗损在1个关系式中的测算式。

漏感(用串连于绕阻的小电感器表达)使部分磁通量不与磁心交链而渗到周边的气体和原材料中。它的特点并不是受与之有关的变电器或电感器的危害,因而绕阻的反射面特性阻抗并不是危害漏感的特性。

漏感会产生1个难题,由于它没有将输出功率传送到负荷,只是在周边的元器件中造成震荡动能。在变电器和电感器的总体设计中,要操纵绕阻的漏感尺寸。每1个的漏感值都是不一样,但能操纵到某一额定电流。

某些降低绕阻漏感的通用性工作经验规律是:加长绕阻的长短、离磁心间距更近、绕阻中间的紧藕合技术性,及其相仿的匝比(如贴近l1)。对一般用以DC-DC变换器的E-E型磁心,预估的漏感值是绕阻电感器的3%~5%。在线下式变换器中,一回绕阻的漏感将会达到绕阻电感器的12%,假如变电器要考虑严苛的安全性技术规范得话。用于绝缘层绕阻的胶布会使绕阻更短,并使绕阻杜绝磁心和别的绕阻。

后边能够看见,漏感造成的额外耗损能够被运用。

在直流电磁石的运用场所,沿磁心的磁路通常必须有个磁密。在铁氧体磁心里,磁密是在磁心的中南部,磁通量从磁心的一边流入另一头,虽然磁感线是从磁心的管理中心向外散了。磁密的存有造成了一块儿聚集的磁通量地区,这会造成邻近电磁线圈或挨近磁密的金属材料构件内的涡旋流动性。这一耗损通常并不是挺大,但没办法明确。

电源变压器内的关键寄生参数简述

寄生参数是电源电路内部具体元器件没法意料的电气设备特点,他们通常会存储动能,并对本身元器件起反作用力而造成噪音和耗损。对设计师而言,辨别、定量分析、减少或运用这种反作用力是1个挺大的挑战。

在沟通交流状况下,内寄生特点更为显着。典型性的电源变压器内部有2个关键的、存有很大沟通交流值的连接点,首位是输出功率电源开关的集电极或漏极;其次是输出镇流器的阳极氧化。务必重中之重关心这2个独特的连接点。

变换器内的关键寄生参数

在全部电源变压器中,有某些普遍的寄生参数,在观查变换器内关键沟通交流连接点的波型时,能够显着见到他们的危害。一些元器件的统计资料中,乃至得出了这种主要参数,如MOSFET的寄生电容。

一些寄生参数已确立界定,如MOSFET的电容器,别的某些离开的寄生参数能够用集中化主要参数表达,使模型变得越来越非常容易。尝试明确这些没有确立界定的寄生参数的值是十分艰难的,一般用1个经验明确,换句话,在开展软电源开关布置时,电子器件的挑选以能获得最好结果为标准来开展。在路线图中,适合的地区置放内寄生元器件十分关键,由于电气设备支路只在变换器工作中的部分时间内起功效。比如,镇流器的结电容只能在镇流器反方向参考点时候挺大,而当二级管顺向参考点时就消退了。表l列举了某些非常容易明确的寄生参数和造成这种主要参数的电子器件,及其这种值的大概范畴。一些独特的寄生参数值能够从特殊电子器件的统计资料中得到。

线路板(PCB)对寄生参数的危害无所不在,好的PCB合理布局标准能够尽量避免这种危害。

穿过尖峰电流量的印刷线对由任意印刷线所造成的电感器和电容器很比较敏感,因此这种线务必短而粗。存有沟通交流高工作电压的PCB点焊,如输出功率电源开关的漏极或集电极或是整流管的阳极氧化,非常容易与邻近印刷线造成耦合电容,使沟通交流噪音藕合到相邻的印刷线中。根据“过孔”联接能够使沟通交流数据信号印刷线的上下一层都穿过一样的数据信号。其他寄生参数的危害通常可归到邻近的内寄生元器件中。

弄清楚组成1个典型性变换器的每一电子器件上的寄生参数的特性,将有利于明确带磁元器件主要参数、布置PCB、布置EMI滤波器等。它是全部开关电源设计中较难的部分。

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